科学家研制2D金属芯片:让蓄积速度挑高100倍

07-06 产品展示

科学家正在竭力,期待开发出下一代数据存储原料,以挑高现有存储速度。

据英国《自然·物理学》杂志近日发外的一项钻研,一个美国说相符钻研团队行使层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可代替硅芯片存储数据,且比硅芯片更浓密、更幼、更快,也更节能,同时蓄积速度挑高了100倍之多。

钻研人员对二碲化钨薄层组织施添微弱电流,使其奇数层相对于偶数层发生安详的偏移,并行使奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后,产品展示他们再议定一栽称为贝利弯率的量子特性,在不作梗排列的情况下读取数据。

与现有的基于硅的数据存储编制相比,新编制具有重大上风——它能够将更多的数据填充到极幼的物理空间中,并且专门节能。此外,其偏移发生得这样之快,以至于数据写入速度能够比现有技术快100倍。

对超薄层进走专门幼的调整,就会对它的功能特性产生很大的影响,而人们能够行使这一知识来设计新式节能设备,以实现可不息发展和更灵巧的异日存储手段。

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